Základy polovodičové techniky (W02O008)
Departments: | ústav fyziky (12102) |
Abbreviation: | | Approved: | 16.05.2007 |
Valid until: | ?? | Range: | 4P+1C |
Semestr: | Z,L | Credits: | |
Completion: | ZK | Language: | CS |
Annotation
Základní pojmy a představy. Vlastní a příměsový polovodič. Polovodič v rovnováze. Vedení proudu v homogenním polovodiči-rezistivita. Nerovnovážné procesy v polovodičích. Doba života minoritních nosičů. Povrchová rekombinace. Mechanizmum rekombinace. Podstata rekombinačních center. Přechod PN. Rozložení náboje-strmý a pozvolný (lineární přechod PN). Kapacita přechodu PN. VA charakteristika přechodu PN-propustný směr, závěrný směr. Difúzní a rekombinační proud. Průraz přechodu PN, Zeyerův jev, Lavinový jev. Bipolární tranzistor, unipolární tranzistor a jejich charakteristiky. Povrchové jevy na přechodech PN.Tranzoistor řízený polem MOS. Frekvenční charakteristiky polovodičových prvků. Technologie přípravy polovodičových materiálů. Technologie přípravy polovodičových prvků-slitinová, difuzní, planární technologie-integrované obvody.
Structure
Literarture
Sopko: Mikroelektronika,skripta, ČVUT,1986
Keywords
Vlastní polovodič, příměsový polovodič, přechod PN, kapacita přechodu PN, VA charakteristika, diody, bipolární tranzistor, unipolární tranzistor, planární technologie, iontová implantace.