Základy polovodičové techniky (W02O008)
Katedra: | ústav fyziky (12102) |
Zkratka: | | Schválen: | 16.05.2007 |
Platí do: | ?? | Rozsah: | 4P+1C |
Semestr: | Z,L | Kredity: | |
Zakončení: | ZK | Jazyk výuky: | CS |
Anotace
Základní pojmy a představy. Vlastní a příměsový polovodič. Polovodič v rovnováze. Vedení proudu v homogenním polovodiči-rezistivita. Nerovnovážné procesy v polovodičích. Doba života minoritních nosičů. Povrchová rekombinace. Mechanizmum rekombinace. Podstata rekombinačních center. Přechod PN. Rozložení náboje-strmý a pozvolný (lineární přechod PN). Kapacita přechodu PN. VA charakteristika přechodu PN-propustný směr, závěrný směr. Difúzní a rekombinační proud. Průraz přechodu PN, Zeyerův jev, Lavinový jev. Bipolární tranzistor, unipolární tranzistor a jejich charakteristiky. Povrchové jevy na přechodech PN.Tranzoistor řízený polem MOS. Frekvenční charakteristiky polovodičových prvků. Technologie přípravy polovodičových materiálů. Technologie přípravy polovodičových prvků-slitinová, difuzní, planární technologie-integrované obvody.
Osnova
Literatura
Sopko: Mikroelektronika,skripta, ČVUT,1986
Klíčová slova
Vlastní polovodič, příměsový polovodič, přechod PN, kapacita přechodu PN, VA charakteristika, diody, bipolární tranzistor, unipolární tranzistor, planární technologie, iontová implantace.
data
online/KOS/FS :: [
Helpdesk] (hlášení problémů) :: - datum tisku: 13.10.2024, 12:56 © 2011-2022 [
CPS] v3.8 (master/ade9e2c3/2024-10-11/07:15)