česky  čs
english  en
Plazma a materiály (W32O007)
Departments:ústav materiálového inženýrství (12132)
Abbreviation:Approved:13.10.2016
Valid until: ??Range:0P+10C
Semestr:Credits:
Completion:ZKLanguage:CS
Annotation
Základní témata:
1. Základy plazmových procesů. ? Co je plazma, mechanizmy vzniku plazmatu, rozdělení plazmatu, hlavní parametry. Vznik iontů, a radikálů, srážkový průřez. Typy procesů, jejich rozdělení podle typu plazmatu. Mechanizmy adheze. Základní metody materiálové charakterizace.
2. Modifikace povrchů plazmatem. Základní princip plazmového leptání a jeho využití v elektronickém průmyslu, leptání Si a SiO2. Plazmové čištění povrchů. Aktivace povrchů: změna povrchové energie polymerních povrchů, úpravy smáčivosti, úpravy chemického složení povrchu, navázání funkčních skupin.
3. Depozice metodami PVD a PACVD. Interakce iontu s povrchem, energetické rozdělení rozprášených atomů, využití magnetického pole k udržení plazmatu, terče a jejich možná kontaminace. Vakuové napařování (konvenční, reaktivní), katodové obloukové napařování (řízení, filtrovaný oblouk). Magnetronové naprašování a reaktivní magnetronové naprašování (základní parametry, konfigurace magnetického pole, řízení procesu). PACVD metoda (generování plazmatu, vstupní plyny).
4. Metody CVD, plazmová polymerizace: Základy kinetiky plazmové polymerizace, Yasudův parametr, polymerizace z uhlovodíkových, fluorovodíkových, chlorovodíkových a metalorganických prekursorů. Zvýšení tvrdosti povrchu kovových materiálů: plazmová nitridace, plazmová oxidace. plazma grafting.
5. Plazmové stříkání. Generace termického plazmatu. Princip stříkání (okrajově principy podobných metod: HVOF, HVAF, detonační stříkání, oblouk, laser, apod.). Deponovaný materiál: prášky, suspenze, roztoky. Interakce s plazmatem za letu a interakce na podložce.
6. Reaktory, principy činnosti. ?Reaktor pro termické CVD, planární reaktor, cylindrický reaktor, vysokofrekvenční reaktory, mikrovlnné reaktory, down-stream reaktor, ECR-reaktor. Nízkotlaký plasma-jet. Vliv proudění plynu na CVD procesy. Procesy probíhající při atmosférickém tlaku ?založené na koronovém a pochodňovém výboji. Průmyslová PVD zařízení (základní parametry, ekonomické srovnání).
7. Informace o dalších metodách využívajících plazmatu. Plazmová metalurgie, plazmové řezání, plazmová syntéza, plazmová dekompozice.
Structure
Základní témata:
1. Základy plazmových procesů. ? Co je plazma, mechanizmy vzniku plazmatu, rozdělení plazmatu, hlavní parametry. Vznik iontů, a radikálů, srážkový průřez. Typy procesů, jejich rozdělení podle typu plazmatu. Mechanizmy adheze. Základní metody materiálové charakterizace.
2. Modifikace povrchů plazmatem. Základní princip plazmového leptání a jeho využití v elektronickém průmyslu, leptání Si a SiO2. Plazmové čištění povrchů. Aktivace povrchů: změna povrchové energie polymerních povrchů, úpravy smáčivosti, úpravy chemického složení povrchu, navázání funkčních skupin.
3. Depozice metodami PVD a PACVD. Interakce iontu s povrchem, energetické rozdělení rozprášených atomů, využití magnetického pole k udržení plazmatu, terče a jejich možná kontaminace. Vakuové napařování (konvenční, reaktivní), katodové obloukové napařování (řízení, filtrovaný oblouk). Magnetronové naprašování a reaktivní magnetronové naprašování (základní parametry, konfigurace magnetického pole, řízení procesu). PACVD metoda (generování plazmatu, vstupní plyny).
4. Metody CVD, plazmová polymerizace: Základy kinetiky plazmové polymerizace, Yasudův parametr, polymerizace z uhlovodíkových, fluorovodíkových, chlorovodíkových a metalorganických prekursorů. Zvýšení tvrdosti povrchu kovových materiálů: plazmová nitridace, plazmová oxidace. plazma grafting.
5. Plazmové stříkání. Generace termického plazmatu. Princip stříkání (okrajově principy podobných metod: HVOF, HVAF, detonační stříkání, oblouk, laser, apod.). Deponovaný materiál: prášky, suspenze, roztoky. Interakce s plazmatem za letu a interakce na podložce.
6. Reaktory, principy činnosti. ?Reaktor pro termické CVD, planární reaktor, cylindrický reaktor, vysokofrekvenční reaktory, mikrovlnné reaktory, down-stream reaktor, ECR-reaktor. Nízkotlaký plasma-jet. Vliv proudění plynu na CVD procesy. Procesy probíhající při atmosférickém tlaku ?založené na koronovém a pochodňovém výboji. Průmyslová PVD zařízení (základní parametry, ekonomické srovnání).
7. Informace o dalších metodách využívajících plazmatu. Plazmová metalurgie, plazmové řezání, plazmová syntéza, plazmová dekompozice.
Literarture
R. d?Agostino: Plasma Deposition, Treatment and Etching of Polymers. Academic Press 1990
B.N. Chapman: Glow Discharge Processes. John Wiley & Sons 1980
M.A.Lieberman, A.J.Lichtenberg: Principles of Plasma Discharges and Materials Processing. John Wiley & Sons 1994
A.Sherman: Chemical Vapor Deposition for Microelectronics. Noyes Publications 1987
Riccardo d?Agostino, Pietro Favia, Yoshinobu Kawai,Hideo Ikegami, Noriyoshi Sato, and Farzaneh Arefi-Khonsari eds. : Advanced Plasma Technology. WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2008
J. Reece Roth: Industrial Plasma Engineering. vol 1. IOP Publisjing 1995
J. Reece Roth: Industrial Plasma Engineering. vol 2. IOP Publisjing 2001
data online/KOS/FS :: [Helpdesk] (hlášení problémů) :: [Reload] [Print] [Print wide] © 2011-2022 [CPS] v3.8 (master/4ba2e75e/2023-03-03/01:20)