česky  čs
english  en
Základy polovodičové techniky (W02O008)
Katedra:ústav fyziky (12102)
Zkratka:Schválen:16.05.2007
Platí do: ??Rozsah:45
Semestr:Z,LKredity:
Zakončení:ZKJazyk výuky:CS
Anotace
Základní pojmy a představy. Vlastní a příměsový polovodič. Polovodič v rovnováze. Vedení proudu v homogenním polovodiči-rezistivita. Nerovnovážné procesy v polovodičích. Doba života minoritních nosičů. Povrchová rekombinace. Mechanizmum rekombinace. Podstata rekombinačních center. Přechod PN. Rozložení náboje-strmý a pozvolný (lineární přechod PN). Kapacita přechodu PN. VA charakteristika přechodu PN-propustný směr, závěrný směr. Difúzní a rekombinační proud. Průraz přechodu PN, Zeyerův jev, Lavinový jev. Bipolární tranzistor, unipolární tranzistor a jejich charakteristiky. Povrchové jevy na přechodech PN.Tranzoistor řízený polem MOS. Frekvenční charakteristiky polovodičových prvků. Technologie přípravy polovodičových materiálů. Technologie přípravy polovodičových prvků-slitinová, difuzní, planární technologie-integrované obvody.
Osnova
Osnova cvičení
Literatura
Sopko: Mikroelektronika,skripta, ČVUT,1986
Požadavky
Klíčová slova
Vlastní polovodič, příměsový polovodič, přechod PN, kapacita přechodu PN, VA charakteristika, diody, bipolární tranzistor, unipolární tranzistor, planární technologie, iontová implantace.
data online/KOS/FS :: [Helpdesk] (hlášení problémů) :: [Obnovit] [Tisk] [Tisk na šířku] © 2011-2017 [CPS] v3.7 (master/180e4e5a/2019-10-09/02:51)